การสะสมไอสารเคมี (ALD)

การสะสมไอสารเคมี (ALD)
การสะสมของชั้นอะตอมมิก (ALD) เป็นกระบวนการเคลือบแบบสุญญากาศซึ่งสารจะสะสมอยู่บนสารตั้งต้นทีละชั้นในรูปแบบของชั้นอะตอมเดี่ยว

ข้อดี ALD: ความสม่ำเสมอที่ดีของการก่อตัวของฟิล์ม ไม่มีรูหนาแน่น ลักษณะการหุ้มขั้นบันไดที่ดี สามารถทำได้ที่อุณหภูมิต่ำ (อุณหภูมิห้อง - 400 องศา ) สามารถควบคุมความหนาของฟิล์มได้ง่ายและแม่นยำ ใช้ได้กับวัสดุต่างๆ รูปร่างของพื้นผิวไม่จำเป็นต้องควบคุมความสม่ำเสมอของการไหลของวัสดุปฏิกิริยา ข้อเสียของ ALD: การสร้างฟิล์มช้า ตัวอย่างเช่น ชั้นปล่อยแสงของซิงค์ซัลไฟด์ (ZnS) สำหรับการผลิตฉนวนที่มีโครงสร้างนาโน (Al2O3/TiO2) และจอแสดงผลแบบใช้ไฟฟ้าเรืองแสงแบบฟิล์มบาง (TFEL) เมื่อเปรียบเทียบกับ CVD และ PVD แบบดั้งเดิม ALD มีข้อดีของการสร้างฟิล์มตามรูปแบบ 3 มิติที่ยอดเยี่ยม ความสม่ำเสมอของพื้นที่ขนาดใหญ่ และการควบคุมความหนาที่แม่นยำ ซึ่งเหมาะสำหรับการปลูกฟิล์มบางพิเศษบนพื้นผิวรูปร่างที่ซับซ้อนและโครงสร้างอัตราส่วนภาพสูง ในปัจจุบัน ด้วยการเพิ่มจำนวนสายการผลิตของกระบวนการที่ต่ำกว่า 45 นาโนเมตร โดยเฉพาะของกระบวนการที่ต่ำกว่า 28 นาโนเมตร ข้อกำหนดที่สูงขึ้นสำหรับความหนาของการเคลือบและการควบคุมความแม่นยำ และการนำเสนอโครงสร้างส่วนประกอบที่มีความหนาแน่นสูงและอัตราส่วนกว้างยาวอย่างค่อยเป็นค่อยไป เทคโนโลยีการสะสมฟิล์มบางมีบทบาทสำคัญมากขึ้นในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

บริษัท IKS PVD, เครื่องเคลือบตกแต่ง, เครื่องเคลือบเครื่องมือ, เครื่องเคลือบ DLC, เครื่องเคลือบแสง, สายเคลือบสูญญากาศ PVD, โครงการเทิร์นคีย์สามารถใช้ได้ ติดต่อเราตอนนี้ อีเมล: iks.pvd@foxmail.com