ความแตกต่างระหว่างกระบวนการระเหย E-Beam และกระบวนการเคลือบผิวของ Magnetron Sputtering Coating

May 18, 2018|


1. หลักการเคลือบที่ต่างกัน


การระเหยของลำแสง E-beam: การยิงเป้าหมายด้วยคานอิเล็กตรอนพลังงานสูงทำให้พื้นผิวของวัสดุถูกให้ความร้อนที่อุณหภูมิสูงมากทำให้เกิด sublimates โดยตรงจากสถานะของแข็งไปเป็นสถานะก๊าซและฝากบนพื้นผิวของชิ้นงาน และสร้างฟิล์มบาง ๆ (เช่น: ฟิล์มป้องกันการสะท้อนแสงของแว่นตา, เลนส์ CCD, การสื่อสารด้วยแสง ฯลฯ )


การเคลือบด้วยแม่เหล็กแม็กเน็ท: กระบวนการไอออนที่มีพลังงานสูงกระหน่ำเป้าหมายและทำให้อะตอมบนพื้นผิวของเป้าหมายถูกแยกออกเรียกว่าการสปัตเตอร์ หลังจากที่ใช้สนามแม่เหล็กในการควบคุมอะตอมที่กระเด็นหรืออิเล็กตรอนตัวที่สองถูกขังอยู่บนผิวของเป้าหมายในรูปของวงล้อ cycloid เพื่อให้เรืองแสงได้รับการบำรุงรักษา การสเปรย์ส่วนใหญ่ใช้สำหรับตกแต่ง (เช่นนาฬิกาโทรศัพท์มือถือและพื้นผิวโลหะอื่น ๆ )


2. การยึดเกาะและผลต่อการยึดติดที่แตกต่างกันของฟิล์ม


การยึดเกาะของการแผ่รังสีอิเล็กตรอนเป็นเรื่องที่ไม่ดี แต่ความสม่ำเสมอของชั้นฟิล์มดี พลังงานการสปัตเตอร์ของเคลือบสปัตเตอร์มีขนาดใหญ่และการยึดติดกับพื้นผิวก็เป็นไปได้ดี แต่ความสม่ำเสมอของชั้นฟิล์มค่อนข้างแย่


คานอิเล็กตรอนมักจะมีเครื่องกำเนิดผลึก สำหรับวัสดุที่มีการปรับเทียบแล้วผลการควบคุมของ 10 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้นเป็นสิ่งที่ดี ในทางตรงกันข้ามฟิล์มเป่าออกมีอนุภาคและความหนา 10 นาโนเมตรทำได้ยากและสามารถควบคุมได้


3 วัสดุการปฏิบัติที่แตกต่างกัน


การสปัตเตอร์แบบ Magnetron มีแหล่งจ่ายไฟ RF ซึ่งสามารถใช้เป็นวัสดุฉนวนหรือโลหะ อย่างไรก็ตามคานอิเล็กตรอนสามารถนำมาวางบนโลหะเท่านั้น


ส่งคำถาม