การสะสมไอของสารเคมี (CVD)

การสะสมไอของสารเคมี (CVD)

เทคโนโลยี CVD ใช้สารประกอบที่เป็นก๊าซหรือส่วนผสมของสารประกอบเพื่อทำปฏิกิริยาทางเคมีบนพื้นผิวที่ร้อนของพื้นผิว ส่งผลให้เกิดการเคลือบที่ไม่ระเหยบนพื้นผิวของวัสดุพิมพ์
ข้อดี: ใช้งานง่าย มีความยืดหยุ่นสูง เหมาะสำหรับเมมเบรนเดี่ยวหรือคอมโพสิตและชั้นเมมเบรน การบังคับใช้กว้าง อัตราการสะสมสามารถเข้าถึงหลายไมครอนถึงหลายร้อยไมครอนต่อนาที ประสิทธิภาพการผลิตสูง เหมาะสำหรับการเคลือบเมทริกซ์รูปร่างที่ซับซ้อน การเคลือบมีความกระชับดี
ข้อเสีย: อุณหภูมิการสะสมตัวสูง ทำให้ประสิทธิภาพของพื้นผิวลดลงได้ง่าย ก๊าซปฏิกิริยาและหางก๊าซอาจมีฤทธิ์กัดกร่อน ติดไฟได้ และเป็นพิษในระดับหนึ่ง เคลือบผิวได้บางมาก
วิธี CVD ส่วนใหญ่จะนำไปใช้ในสองทิศทางทั่วไป:
1, การเตรียมการเคลือบ, ปรับปรุงและปรับปรุงประสิทธิภาพพื้นผิวของวัสดุหรือชิ้นส่วนเพื่อปรับปรุงหรือปรับปรุงความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชัน, ความต้านทานการสึกหรอ, ความต้านทานการกัดกร่อน และคุณสมบัติทางไฟฟ้า แสง และไตรโบโลยีของวัสดุหรือชิ้นส่วน
2. พัฒนาวัสดุโครงสร้างใหม่ ปัจจุบัน เทคโนโลยี CVD ถูกนำมาใช้อย่างแพร่หลายในหลายด้าน เช่น ฟิล์มกันรอย เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ การใช้พลังงานแสงอาทิตย์ การสื่อสารด้วยใยแก้วนำแสง เทคโนโลยีตัวนำยิ่งยวด การเตรียมวัสดุใหม่ เป็นต้น
นอกจากนี้ ในการเตรียมวัสดุผง การใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาที่มีประสิทธิภาพและเสถียรเพื่อส่งเสริมกระบวนการเตรียมผง CVD หรือการรวมวิธีการทางกายภาพเพื่อเตรียมวัสดุผงภายใต้อุณหภูมิต่ำและสภาวะสุญญากาศสูงได้กลายเป็นทิศทางในอนาคตของเทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมี การพัฒนา.

บริษัท IKS PVD, เครื่องเคลือบตกแต่ง, เครื่องเคลือบเครื่องมือ, เครื่องเคลือบ DLC, เครื่องเคลือบออปติคอล, สายเคลือบสูญญากาศ PVD, โครงการแบบเบ็ดเสร็จ ติดต่อเราตอนนี้ E-mail:iks.pvd@foxmail.com