การเปรียบเทียบ DC Bias และ Pulse Bias
Aug 14, 2024| การเปรียบเทียบอคติ DC และอคติพัลส์
การชุบอาร์คไอออนแบบดั้งเดิมคือการใช้ DC Negative Bias บนซับสเตรตเพื่อควบคุมพลังงานการทิ้งระเบิดไอออน กระบวนการสะสมนี้มีข้อเสียดังต่อไปนี้: 1. อุณหภูมิที่สูงของพื้นผิวไม่เอื้อต่อการสะสมฟิล์มแข็งบนพื้นผิวที่มีอุณหภูมิการแบ่งเบาบรรเทาต่ำ 2. 3. การทิ้งระเบิดไอออนพลังงานสูงทำให้เกิดการสปัตเตอร์อย่างรุนแรง และไม่สามารถสังเคราะห์ฟิล์มแข็งที่มีพลังงานขีดจำกัดปฏิกิริยาสูงได้ง่ายๆ โดยการเพิ่มพลังงานการทิ้งระเบิดไอออน 4. ในกระบวนการชุบ DC bias arc ion เพื่อยับยั้งอุณหภูมิของสารตั้งต้นที่มากเกินไปซึ่งเกิดจากการทิ้งประจุไอออนบวกอย่างต่อเนื่องบนพื้นผิวของสารตั้งต้น มาตรการต่างๆ เช่น การลดพลังการสะสม การลดระยะเวลาการสะสม และการใช้วิธีการสะสมเป็นระยะ ๆ ส่วนใหญ่จะนำมาใช้ เพื่อลดอุณหภูมิการสะสม มาตรการเหล่านี้สามารถสรุปได้เป็นวิธีการควบคุมพลังงาน แม้ว่าวิธีการนี้สามารถลดอุณหภูมิการสะสมได้ แต่ยังช่วยลดคุณสมบัติบางอย่างของฟิล์ม และยังลดประสิทธิภาพการผลิตและความเสถียรของคุณภาพของฟิล์ม ดังนั้นจึงเป็นการยากที่จะส่งเสริมการใช้งาน ในกระบวนการชุบไอออนอาร์คอคติแบบพัลส์ เนื่องจากไอออนถูกโจมตีโดยพื้นผิวของสารตั้งต้นในโหมดพัลส์ที่ไม่ต่อเนื่อง การไล่ระดับอุณหภูมิระหว่างสารตั้งต้นและพื้นผิวสามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยการปรับรอบการทำงานของอคติของพัลส์ จากนั้น ผลการชดเชยการปรับสมดุลความร้อนระหว่างพื้นผิวและพื้นผิวสามารถเปลี่ยนแปลงได้เพื่อให้บรรลุวัตถุประสงค์ในการควบคุมอุณหภูมิการสะสม ด้วยวิธีนี้ ความสูงของพัลส์เอนเอียงสามารถแยกออกจากอุณหภูมิชิ้นงานได้อย่างอิสระ (ไม่ส่งผลกระทบซึ่งกันและกันหรือมีอิทธิพลเพียงเล็กน้อย) และพัลส์ไฟฟ้าแรงสูงสามารถใช้เพื่อรับผลการทิ้งระเบิดของไอออนพลังงานสูงเพื่อปรับปรุง การจัดเรียงและประสิทธิภาพของฟิล์ม และผลกระทบด้านความร้อนโดยรวมของการทิ้งไอออนสามารถลดลงได้โดยการลดรอบการทำงานเพื่อลดอุณหภูมิการสะสม
บริษัท IKS PVD, เครื่องเคลือบตกแต่ง, เครื่องเคลือบเครื่องมือ, เครื่องเคลือบ DLC, เครื่องเคลือบแสง, สายเคลือบสูญญากาศ PVD, โครงการเทิร์นคีย์สามารถใช้ได้ ติดต่อเราตอนนี้ อีเมล: iks.pvd@foxmail.com