ผังกระบวนการหลักของแมกนีตรอนสปัตเตอริง

การไหลของกระบวนการหลักของแมกนีตรอนสปัตเตอริง:
(l) การทำความสะอาดพื้นผิวโดยใช้การทำความสะอาดไอโซโพรพิลแอลกอฮอล์เป็นหลักตามด้วยการแช่พื้นผิวด้วยเอทานอลและอะซิโตนและทำให้แห้งอย่างรวดเร็วเพื่อขจัดคราบน้ำมันบนพื้นผิว
(2) การสูบสูญญากาศต้องควบคุมสูญญากาศที่มากกว่า 2 × 104Pa เพื่อให้แน่ใจว่าฟิล์มมีความบริสุทธิ์
(3) เครื่องทำความร้อน เพื่อขจัดความชื้นที่พื้นผิวของวัสดุพิมพ์และปรับปรุงแรงยึดเหนี่ยวระหว่างฟิล์มและวัสดุพิมพ์พื้นผิวควรได้รับความร้อนที่อุณหภูมิระหว่าง 150 ℃ถึง 200 ℃
(4) ความดันบางส่วนของอาร์กอนโดยทั่วไปอยู่ในช่วง 0.01 ~ 1Pa เพื่อให้เป็นไปตามสภาวะความดันของการปล่อยเรืองแสง
(5) Presputtering คือการขจัดฟิล์มออกไซด์บนพื้นผิวเป้าหมายโดยการทิ้งระเบิดของไอออนเพื่อไม่ให้ส่งผลกระทบต่อคุณภาพของฟิล์ม
(6) การสปัตเตอร์: ภายใต้การกระทำของสนามแม่เหล็กและสนามไฟฟ้าในแนวตั้งฉากไอออนบวกที่เกิดจากอาร์กอนที่แตกตัวเป็นไอออนจะระเบิดวัสดุเป้าหมายด้วยความเร็วสูงเพื่อให้อนุภาคเป้าหมายที่ปล่อยออกมาจากสปัตเตอร์ถึงพื้นผิวของวัสดุพิมพ์และสะสมลงในฟิล์ม
(7) ในการหลอมค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนของฟิล์มบางและวัสดุพิมพ์จะแตกต่างกันและแรงยึดติดมีขนาดเล็ก ในการหลอมการหลอมรวมกันของอะตอมระหว่างฟิล์มบางและสารตั้งต้นสามารถปรับปรุงการยึดเกาะได้อย่างมีประสิทธิภาพ

รูปที่. แผนภูมิการไหลของกระบวนการเคลือบแมกนีตรอนสปัตเตอริง

บริษัท IKS PVD, เครื่องเคลือบตกแต่ง, เครื่องเคลือบเครื่องมือ, mahcine เคลือบด้วยแสง, สายการผลิตสูญญากาศ PVD ติดต่อเราตอนนี้ E-mail: iks.pvd@foxmail.com