หลักการของเทคโนโลยีการเคลือบสูญญากาศ PVD

หลักการของเทคโนโลยีการเคลือบสูญญากาศ PVD
การสะสมไอทางกายภาพ (PVD) หมายถึงการสะสมไอทางกายภาพ ซึ่งประกอบด้วยการสะสมตัวของไอสุญญากาศ การสะสมของสปัตเตอร์ในสุญญากาศ และการสะสมของไอออนสุญญากาศ เรามักจะพูดว่าการเคลือบ PVD หมายถึงการเคลือบด้วยไอออนสุญญากาศและการชุบสปัตเตอริงแบบสุญญากาศ โดยทั่วไป การเคลือบ NCVM หมายถึงการเคลือบด้วยการระเหยด้วยสุญญากาศ หลักการพื้นฐานของการระเหยด้วยสุญญากาศ: ภายใต้สภาวะสุญญากาศ โลหะและโลหะผสมของโลหะจะระเหยและสะสมไว้บนพื้นผิวซับสเตรต วิธีการระเหยโดยทั่วไปจะใช้โดยการให้ความร้อนแบบต้านทานและการทิ้งอิเล็กตรอนของวัสดุชุบเพื่อทำให้กลายเป็นไอในเฟสของก๊าซแล้วสะสมไว้บนพื้นผิวของพื้นผิว ในอดีต การระเหยด้วยสุญญากาศเป็นเทคโนโลยีก่อนหน้าที่ใช้ในกระบวนการ PVD หลักการพื้นฐานของฟิล์มเคลือบสปัตเตอริง: ภายใต้สภาวะสุญญากาศของการเติมก๊าซ (Ar) การปล่อยก๊าซเรืองแสง จากนั้นอะตอมของอาร์กอน (Ar) จะแตกตัวเป็นไอออนเป็นไนโตรเจนไอออน (Ar) ไอออนภายใต้การกระทำของแรงสนามไฟฟ้า เร่งการทิ้งระเบิดไปยัง แคโทดเป้าหมายที่ทำจากวัสดุชุบ ชิ้นงานจะถูกสปัตเตอร์ออกและสะสมไว้ที่ผิวชิ้นงาน โดยทั่วไป ไอออนตกกระทบในฟิล์มเคลือบสปัตเตอริงจะได้รับจากการปล่อยสารเรืองแสงในช่วง 10-2pa~10Pa ดังนั้นอนุภาคสปัตเตอริงจึงชนกับโมเลกุลของก๊าซในห้องสุญญากาศได้ง่ายในกระบวนการบินไปยังสารตั้งต้น เพื่อให้ทิศทางการเคลื่อนที่เป็นแบบสุ่มและฟิล์มที่เคลือบจะสม่ำเสมอได้ง่าย หลักการพื้นฐานของการชุบเคลือบด้วยไอออน: ภายใต้สภาวะสุญญากาศ เทคโนโลยีพลาสม่าไอออไนเซชันบางส่วนถูกนำมาใช้เพื่อทำให้อะตอมของสารเคลือบแตกตัวเป็นไอออนบางส่วน และในขณะเดียวกันก็สร้างอะตอมที่เป็นกลางที่มีพลังงานสูงจำนวนมากเพื่อเพิ่มอคติเชิงลบบนสารตั้งต้นที่ชุบ ด้วยวิธีนี้ภายใต้การกระทำของอคติเชิงลบที่ลึก ไอออนจะสะสมบนพื้นผิวของวัสดุพิมพ์เพื่อสร้างฟิล์มบาง ๆ

บริษัท IKS PVD, เครื่องเคลือบตกแต่ง, เครื่องเคลือบเครื่องมือ, เครื่องเคลือบ DLC, เครื่องเคลือบออปติคอล, สายเคลือบสูญญากาศ PVD, โครงการแบบเบ็ดเสร็จ ติดต่อเราตอนนี้ อีเมล: iks.pvd@foxmail.com