ความก้าวหน้าของเทคโนโลยีการสะสมไอ

ความก้าวหน้าของเทคโนโลยีการสะสมไอระเหยสรุปได้ดังนี้

(1) การพัฒนาอุปกรณ์ ตัวอย่างเช่น อุปกรณ์การระเหยอย่างต่อเนื่องของลำแสงอิเล็กตรอนขนาดใหญ่ อุปกรณ์แมกนีตรอนสปัตเตอร์รูปแบบต่างๆ การชุบไอออนด้วยแหล่งกำเนิดอาร์กใหม่และอุปกรณ์ชุบไอออนคอมโพสิต HCD และมัลติอาร์ก อุปกรณ์ IBAD ต่างๆ และอุปกรณ์ฝังไอออนแบบแช่ในพลาสมา (PIⅢI) เป็นต้น

(2) ความคืบหน้าของกระบวนการ ส่วนใหญ่จะปรากฏในการเพิ่มขึ้นของประเภทฟิล์มและการปรับปรุงคุณสมบัติของฟิล์ม ตัวอย่างเช่น มีการเตรียมฟิล์มที่ทนทานต่อการสึกหรอที่มีประสิทธิภาพสูง ทนต่อการกัดกร่อน ทนต่อการกัดกร่อนที่อุณหภูมิสูง ฟิล์มกันความร้อน ฟิล์มคล้ายเพชรและคิวบิกโบรอนไนไตรด์ และฟิล์มคอมโพสิตหลากหลายชนิด เซรามิก การไล่ระดับสี และหลายชั้น .

(3) องค์ประกอบของวิธีการ เทคโนโลยีการสะสมไอระเหยขั้นสูงสุดคือการรวมกันของการสะสมไอทางกายภาพเพียงครั้งเดียวและการสะสมไอเคมี พวกเขาไม่เพียงใช้แหล่งความร้อนใหม่ ๆ ที่หลากหลาย แต่ยังใช้ประโยชน์จากปฏิกิริยาเคมีต่าง ๆ แม่เหล็กไฟฟ้าความถี่สูง (ชีพจร ความถี่วิทยุ ไมโครเวฟ ฯลฯ) และผลกระทบของพลาสมาเพื่อกระตุ้นอนุภาคที่สะสม ตัวอย่างเช่น การระเหยด้วยปฏิกิริยา การสปัตเตอริงแบบรีแอกทีฟ การสปัตเตอริงด้วยลำแสงไอออน การสะสมไอสารเคมีในพลาสมาแบบต่างๆ เป็นต้น มีวิธีการผสมเพิ่มเติมในอุปกรณ์ IBAD และ PⅢ การแนะนำของลำแสงเลเซอร์ไม่เพียง แต่สามารถชุบด้วยไอน้ำเท่านั้น แต่ยังสามารถประกอบเข้าด้วยกันในรูปแบบต่างๆ

บริษัท IKS PVD, เครื่องเคลือบตกแต่ง, เครื่องเคลือบเครื่องมือ, เครื่องเคลือบ DLC, เครื่องเคลือบออปติคอล, สายเคลือบสูญญากาศ PVD, โครงการแบบเบ็ดเสร็จ ติดต่อเราตอนนี้ E-mail:iks.pvd@foxmail.com