เป็นพิษเป้าหมายในการสเต็ปแม็กเน็ทคืออะไร? อะไรคือปัจจัยและปัจจัยทั่วไปที่มีอิทธิพล?

1. พิษจากเป้าหมาย

◆การ สะสมของไอออนบวก

เมื่อเป้าหมายถูกวางยาพิษจะมีแผ่นฉนวนเกิดขึ้นบนพื้นผิวเป้าหมาย เมื่อไอออนบวกเข้าสู่ผิวเป้าหมายของแคโทดพวกเขาไม่สามารถเข้าไปในตัวมันได้โดยตรงเนื่องจากกำแพงกั้นของชั้นฉนวน แต่สะสมบนพื้นผิวเป้าหมาย ดังนั้นสนามเย็นจะถูกสร้างขึ้นได้อย่างง่ายดายเช่นเดียวกับการปลดปล่อยแสงโค้งโค้ง ดังนั้นการปะทุขั้วลบไม่สามารถดำเนินการต่อได้

◆ Anode หายไป

เมื่อเป้าหมายถูกวางยาพิษฟิล์มฉนวนจะถูกวางลงบนผนังของห้องสุญญากาศที่ต่อลงดิน อิเล็กตรอนที่มาถึงขั้วบวกไม่สามารถเข้าขั้วบวกและหายไปได้

2. ปัจจัยที่มีอิทธิพลต่อการเป็นพิษของเป้าหมาย

ปัจจัยที่มีผลต่อการเป็นพิษของเป้าหมายคืออัตราส่วนของก๊าซปฏิกิริยาและแก๊สสปิริต ก๊าซปฏิกิริยาที่มากเกินไปจะทำให้เกิดอาการเป็นพิษจากเป้าหมาย ในขั้นตอนการสปัตเตอร์แบบสปิตเตอร์จะมีการปะทุบริเวณช่องสัญญาณบนผิวเป้าหมายโดยผลิตภัณฑ์ปฏิกิริยาหรือผลิตภัณฑ์ปฏิกิริยาจะถูกปอกเปลือกเพื่อให้พื้นผิวโลหะสัมผัสกับอีกครั้งซึ่งจะทำการปิดและหมุนเวียน

ถ้าอัตราการก่อตัวของสารประกอบสูงกว่าอัตราที่สารประกอบถูกปลดออกบริเวณที่ปกคลุมด้วยสารประกอบจะเพิ่มขึ้น เมื่อพลังงานบางอย่างปริมาณของก๊าซสารตัวทำปฏิกิริยาที่เกี่ยวข้องกับการก่อตัวของสารเพิ่มขึ้นและอัตราการก่อตัวของสารประกอบจะเพิ่มขึ้น ถ้าปริมาณก๊าซมีเทนเพิ่มมากเกินไปพื้นที่ที่ปกคลุมด้วยสารประกอบจะเพิ่มขึ้น

ถ้าไม่สามารถปรับการไหลของแก๊สสารตั้งต้นได้ในเวลาไม่สามารถลดอัตราการเพิ่มพื้นที่ครอบคลุมของสารผสมและช่องเติมสารจะถูกปกคลุมไปด้วยสารประกอบเพิ่มเติมเมื่อเป้าหมายสปิตเตอร์ถูกปกคลุมโดยสมบูรณ์ เป้าหมายถูกวางยาพิษอย่างสมบูรณ์

3. การแก้พิษของเป้าหมาย

◆ ใช้พลังงานความถี่ปานกลางหรือพลังงาน RF

◆ ใช้วงจรควบคุมแบบปิดเพื่อควบคุมปริมาณก๊าซไฮโดรเจน

◆ ใช้คู่แฝด

◆ ควบคุมการเปลี่ยนแปลงของโหมดการเคลือบผิว: ก่อนที่จะเคลือบให้เก็บค่า Hysteresis Effect ของการเป็นพิษของเป้าหมายทำให้การไหลของน้ำเข้าถูกควบคุมที่ด้านหน้าของพิษที่ตั้งเป้าหมายและตรวจสอบให้แน่ใจว่ากระบวนการอยู่ในโหมดเสมอก่อนที่อัตราการสะสมจะลดลงอย่างรวดเร็ว